رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TSM230N06PQ56 RLG
Product Overview
المُصنّع:
Taiwan Semiconductor Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
TSM230N06PQ56 RLG-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 44A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
المخزون:
5680 قطع جديدة أصلية في المخزون
12900756
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TSM230N06PQ56 RLG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
44A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
23mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1680 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PDFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
TSM230
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
TSM230N06PQ56RLGTR
TSM230N06PQ56 RLGDKR
TSM230N06PQ56RLGDKR
TSM230N06PQ56 RLGTR
TSM230N06PQ56 RLGCT
TSM230N06PQ56 RLGCT-DG
TSM230N06PQ56 RLGTR-DG
TSM230N06PQ56RLGCT
TSM230N06PQ56 RLGDKR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TSM220NB06LCR RLG
المُصنِّع
Taiwan Semiconductor Corporation
الكمية المتاحة
3179
DiGi رقم الجزء
TSM220NB06LCR RLG-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TSM4NC50CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252
TSM8N80CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
DMTH3004LPSQ-13
MOSFET N-CH 30V PWRDI5060
